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LTV-M501 晶体管输出光耦

The LTV-M501 series consists of a high efficient AlGaAs Light Emitting Diode and a high speed optical detector. This unique design provides excellent AC and DC isolation between the input and output s
正向电压 VF 2工作温度 TA 100

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

产品应用与封装尺寸

图纸取自原厂规格书,点击可放大查看原始尺寸标注。

关键参数速览

正向电压 VF
2
工作温度 TA
100

产品特点 Features

  • Ω Surface mountable
  • Ω High speed – 1MBd typical Pin No. and Internal connection diagram
  • Ω Compatible with infrared vapor phase reflow and wave
  • 6 5 4 soldering process
  • Ω Very high common mode transient immunity: 15 kV/μs at V = 1500 V guaranteed 1. Anode
  • 3. Cathode
  • Ω TTL compatible
  • 4. GND
  • Ω Open collector output 5. Vo (Output)
  • 6. Vcc
  • Ω Lead free option
  • Ω MSL Level 1
  • Photocoupler
  • LTV-M501 series
  • 3. TAPING DIMENSIONS
  • 3.1 LTV-M501

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

参数符号最小最大单位备注
Storage TemperatureT-55125°C
Operating TemperatureT-55100°C
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

参数符号最小最大单位备注
Supply VoltageV-0.530V
Lead Solder Temperature **260C
Average Forward Input CurrentI25mA
I50mA
I1.0A
Input Power DissipationP45mW
Output Collector CurrentI8mA
Peak Output CurrentI16mA
Output Collector VoltageV-0.520V
Output Collector Power DissipationP100mW

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

参数测试条件符号最小典型最大单位图号备注
Input Forward VoltageI =16mA, T =25 °CV1.21.41.8V2
203650
LTV-M501series
T = 25°C190800
0 ~ 100°C R =1.9KΩt800ns3.6,93, 4
T = 25°C150800
0 ~ 100°Ct8003.6,93, 4
C = 15 pF; T =25 °C,|CM |15kV/μs103, 4
C = 15 pF; T = 25 °C,|CM |15kV/μs103, 4
6/12P artN o. : LTV-M 501 Ser ies
BNS-OD-FC002/A4

特性曲线(Typical Performance Curves)

应用领域 Applications

OFF HΩ Ground loop eliminationA 0.1μF bypass Capacitor must beTTL/LTTL,TTL/CMOS, TTL/LSTTL1/12 P art N o. : LTV -M 501 Ser iesBNS-OD-FC002/A4Rev.: -BPhotocouplerLTV-M501 series3. TAPING DIMENSIONS3.1 LTV-M5014. RATING AND CHARACTERISTICS

资料下载

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深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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