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TLP3616 可控硅输出光耦

正向电压 VF 1.3正向电流 IF 50隔离电压 VISO 2500工作温度 TA 100

产品实拍图

本型号暂无已核对的专属实拍图。为避免图文不符,本页不放同系列近似图;如需实物照片,请联系销售获取本批次实拍。

引脚定义与内部结构

引脚符号名称
1Cathode
2Anode
3Cathode
4Cathode
5Triac gate
数据来源:原厂规格书引脚图

关键参数速览

正向电压 VF
1.3
正向电流 IF
50
隔离电压 VISO
2500
工作温度 TA
100

绝对最大额定值 Absolute Maximum Ratings(TA = 25°C)

超过下表数值可能造成器件永久损坏,设计时请留余量。

Characteristic符号额定值单位
Forward currentI50mA
Forward 查 current derating (Ta ≥ 53°C)∆I / °C−0.7mA / °C 查
Peak forward current (100-µs pulse, 100pps) I1A
Junction temperatureT125°C
Off−state output terminal voltageV600V
Ta= 25°C1.2
On−state RMS currentIA
Ta= 40°C1.0
On−state current derating (Ta ≥ 40°C)∆I / °C−13mA / °C
I2A
(100-µs pulse, 120 pps)SP
Peak nonrepetitive surge current (50 Hz,peak) I10A
Junction temperatureT115°C
Storage temperature rangeT−40~125°C
Operating temperature rangeT−20~80°C
Lead soldering temperature (10 s)T260°C
Isolation voltage (AC, 1 min., R.H. ≤ 60%)(Note) BV2500V
数据来源:原厂规格书

安全与绝缘额定值(DIN EN/IEC 60747−5−5)

Characteristic符号额定值单位
TLP3616

电气特性 Electrical Characteristics(TA = 25°C)

Characteristic符号测试条件最小典型最大单位
Forward voltageV I= 10 mA1.01.151.3V
CapacitanceC V= 0, f = 1 MHz―30―pF
Peak of-state currentI V= 600 V, Ta = 110°C――100µA
Peak on−state voltageV I= 1.2 A――3.0V
dv / dt V= 240 V (Fig.1) ―500―V / µs
Critical rate of rise ofV= 240 V , I = 0.5 A
dv / dt (c)in rms T rms―5―V / µs
commutating voltage(Fig.1)
Trigger LED currentI V= 6 V――10mA

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深圳市福田区华强北飞亚达大厦西座五楼501
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